Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG1026UVQ-7
DMG1026UVQ-7

DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated

DMG1026UVQ_NRND.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1026UVQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 650mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG1026UVQ-7 за ціною від 7.12 грн до 41.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1026UVQ-7 DMG1026UVQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1026UVQ_NRND.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.44A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 650mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 440mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.56 грн
14+24.76 грн
100+15.76 грн
500+11.14 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7 DMG1026UVQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG1026UV.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.74 грн
15+26.23 грн
100+11.45 грн
500+11.37 грн
1000+10.65 грн
3000+9.69 грн
6000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7 DMG1026UVQ-7 Виробник : Diodes Inc 207741061275938dmg1026uv.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.41A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1026UVQ_NRND.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 320mA; Idm: 1A; 650mW; SOT563
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: SOT563
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 1A
Drain current: 0.32A
Gate charge: 0.45pC
On-state resistance: 2.1Ω
Power dissipation: 0.65W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.