Продукція > DIODES INC > DMG1029SV-7
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7 Diodes Inc

19dmg1029sv.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1029SV-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 450mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 450mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG1029SV-7 за ціною від 5.98 грн до 43.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 2722650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.27 грн
6000+6.37 грн
9000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.92 грн
6000+7.78 грн
12000+7.63 грн
15000+7.29 грн
45000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.77 грн
6000+8.25 грн
15000+7.71 грн
30000+6.82 грн
75000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.91 грн
6000+8.38 грн
15000+7.83 грн
30000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INC. DIODS20272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.69 грн
500+11.26 грн
1500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
553+21.92 грн
742+16.33 грн
774+15.67 грн
1016+11.50 грн
1226+8.83 грн
3000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 553
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.99 грн
19+20.87 грн
50+15.67 грн
100+13.63 грн
114+8.11 грн
314+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+28.96 грн
29+24.43 грн
30+23.49 грн
100+16.87 грн
250+14.99 грн
500+10.95 грн
1000+9.08 грн
3000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIODS20272_1-2541849.pdf MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
на замовлення 110804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.85 грн
18+20.35 грн
100+11.04 грн
500+9.98 грн
1000+8.92 грн
3000+6.43 грн
6000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.59 грн
12+26.01 грн
50+18.81 грн
100+16.35 грн
114+9.74 грн
314+9.26 грн
3000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 2722663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.63 грн
14+22.68 грн
100+14.19 грн
500+10.05 грн
1000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INC. DIODS20272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.09 грн
50+27.74 грн
100+15.69 грн
500+11.26 грн
1500+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.