на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG1029SV-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 1.3 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.3ohm, Verlustleistung Pd: 450mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung, p-Kanal: 450mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 450mW, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMG1029SV-7 за ціною від 5.01 грн до 33.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 777000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 450mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 780388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1029SV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA |
на замовлення 249458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1029SV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, AEC-Q101, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 500 mA, 1.3 ohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.3ohm Verlustleistung Pd: 450mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung, p-Kanal: 450mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 450mW Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG1029SV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A On-state resistance: 1.7/4Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.66W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMG1029SV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A On-state resistance: 1.7/4Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.66W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |