Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG1029SV-7
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7 Diodes Incorporated

31_dmg1029sv.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 191650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.70 грн
6000+7.64 грн
9000+7.26 грн
15000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1029SV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 450mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 450mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DMG1029SV-7 за ціною від 6.50 грн до 40.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.23 грн
6000+9.06 грн
12000+8.89 грн
15000+8.49 грн
45000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.54 грн
6000+8.97 грн
15000+8.38 грн
30000+7.42 грн
75000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.69 грн
6000+9.11 грн
15000+8.51 грн
30000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
553+25.54 грн
742+19.02 грн
774+18.25 грн
1016+13.40 грн
1226+10.28 грн
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 553 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.49 грн
29+26.57 грн
30+25.54 грн
100+18.34 грн
250+16.30 грн
500+11.91 грн
1000+9.87 грн
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 DIODES INCORPORATED DMG1029SV-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Power dissipation: 0.66W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.09 грн
15+29.12 грн
18+23.99 грн
50+13.73 грн
100+11.09 грн
500+8.11 грн
1000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 191829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.98 грн
13+24.50 грн
100+15.61 грн
500+11.06 грн
1000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
на замовлення 68285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 DIODES INC. DIODS20272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 dmg1029sv.pdf
DMG1029SV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.23 грн
6000+9.06 грн
12000+8.89 грн
15000+8.49 грн
45000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 dmg1029sv.pdf
DMG1029SV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.54 грн
6000+8.97 грн
15000+8.38 грн
30000+7.42 грн
75000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 dmg1029sv.pdf
DMG1029SV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.69 грн
6000+9.11 грн
15000+8.51 грн
30000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 dmg1029sv.pdf
DMG1029SV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 dmg1029sv.pdf
DMG1029SV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
553+25.54 грн
742+19.02 грн
774+18.25 грн
1016+13.40 грн
1226+10.28 грн
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 553 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 dmg1029sv.pdf
DMG1029SV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+31.49 грн
29+26.57 грн
30+25.54 грн
100+18.34 грн
250+16.30 грн
500+11.91 грн
1000+9.87 грн
3000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7.pdf
DMG1029SV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Version: ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Power dissipation: 0.66W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.09 грн
15+29.12 грн
18+23.99 грн
50+13.73 грн
100+11.09 грн
500+8.11 грн
1000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 31_dmg1029sv.pdf
DMG1029SV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 191829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.98 грн
13+24.50 грн
100+15.61 грн
500+11.06 грн
1000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 31_dmg1029sv.pdf
DMG1029SV-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
на замовлення 68285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DIODS20272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG1029SV-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.