Продукція > DIODES INC > DMG1029SV-7
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7 Diodes Inc

19dmg1029sv.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1029SV-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 450mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 450mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG1029SV-7 за ціною від 5.58 грн до 39.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.48 грн
6000+6.56 грн
9000+6.23 грн
15000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.11 грн
6000+7.97 грн
12000+7.82 грн
15000+7.47 грн
45000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.99 грн
6000+8.45 грн
15000+7.90 грн
30000+6.99 грн
75000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.13 грн
6000+8.58 грн
15000+8.02 грн
30000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INC. 31_dmg1029sv.pdf Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.07 грн
500+11.54 грн
1500+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
553+22.46 грн
742+16.72 грн
774+16.05 грн
1016+11.78 грн
1226+9.04 грн
3000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 553
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1029SV-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.59 грн
28+14.68 грн
50+11.21 грн
100+10.00 грн
500+7.91 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG1029SV-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.11 грн
17+18.30 грн
50+13.46 грн
100+12.00 грн
500+9.49 грн
1000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
на замовлення 102984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.01 грн
20+17.90 грн
100+10.53 грн
500+10.38 грн
1000+9.29 грн
3000+6.58 грн
6000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+29.66 грн
29+25.03 грн
30+24.06 грн
100+17.28 грн
250+15.35 грн
500+11.22 грн
1000+9.30 грн
3000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INC. 31_dmg1029sv.pdf Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+35.71 грн
50+23.11 грн
100+14.42 грн
500+12.10 грн
1500+9.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 330151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.38 грн
14+23.32 грн
100+14.84 грн
500+10.48 грн
1000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.