Продукція > DIODES INC > DMG1029SV-7
DMG1029SV-7

DMG1029SV-7 Diodes Inc

19dmg1029sv.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG1029SV-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 450mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 450mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG1029SV-7 за ціною від 6.04 грн до 41.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 3173700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.14 грн
6000+6.26 грн
9000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.00 грн
6000+7.85 грн
12000+7.71 грн
15000+7.36 грн
45000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.86 грн
6000+8.33 грн
15000+7.78 грн
30000+6.89 грн
75000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.00 грн
6000+8.46 грн
15000+7.91 грн
30000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INC. DIODS20272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.44 грн
500+11.55 грн
1500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
553+22.14 грн
742+16.49 грн
774+15.82 грн
1016+11.61 грн
1226+8.91 грн
3000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 553
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.93 грн
19+20.83 грн
50+15.64 грн
100+13.60 грн
114+8.10 грн
312+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Zetex dmg1029sv.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.5A/0.36A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+29.24 грн
29+24.67 грн
30+23.72 грн
100+17.03 грн
250+15.13 грн
500+11.06 грн
1000+9.17 грн
3000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Incorporated DIODS20272_1-2541849.pdf MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA
на замовлення 212399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.66 грн
17+21.17 грн
100+11.17 грн
1000+9.36 грн
3000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B6DF947C011BF&compId=DMG1029SV-7.pdf?ci_sign=34e6d4d6832ed216cad05067e32d43d9440d3ab5 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7/4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.52 грн
12+25.96 грн
50+18.77 грн
100+16.32 грн
114+9.72 грн
312+9.24 грн
3000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : Diodes Incorporated 31_dmg1029sv.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, 360mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 3173728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.55 грн
15+22.32 грн
100+14.17 грн
500+10.01 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 Виробник : DIODES INC. DIODS20272-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG1029SV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+41.06 грн
50+27.43 грн
100+17.44 грн
500+11.55 грн
1500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.