DMG2301L-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 2.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2301L-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DMG2301L-13 за ціною від 2.96 грн до 26.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG2301L-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 14987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DMG2301L-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 1802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMG2301L-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.61 грн |
| 30+ | 10.36 грн |
| 100+ | 6.45 грн |
| 500+ | 4.45 грн |
| 1000+ | 3.80 грн |
| 2000+ | 3.49 грн |
| 5000+ | 2.96 грн |
| DMG2301L-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.83 грн |
| 21+ | 16.09 грн |
| 100+ | 8.79 грн |
| 500+ | 6.33 грн |
| 1000+ | 5.56 грн |
| 2500+ | 4.92 грн |


