DMG2301L-13

DMG2301L-13 Diodes Incorporated


DMG2301L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2301L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMG2301L-13 за ціною від 2.96 грн до 26.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Diodes Incorporated DMG2301L.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.61 грн
30+10.36 грн
100+6.45 грн
500+4.45 грн
1000+3.80 грн
2000+3.49 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Diodes Incorporated DMG2301L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.83 грн
21+16.09 грн
100+8.79 грн
500+6.33 грн
1000+5.56 грн
2500+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L.pdf
DMG2301L-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.61 грн
30+10.36 грн
100+6.45 грн
500+4.45 грн
1000+3.80 грн
2000+3.49 грн
5000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L.pdf
DMG2301L-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.83 грн
21+16.09 грн
100+8.79 грн
500+6.33 грн
1000+5.56 грн
2500+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.