Продукція > DIODES INC > DMG2301L-13
DMG2301L-13

DMG2301L-13 Diodes Inc

dmg2301l.pdf Виробник: Diodes Inc
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2301L-13 Diodes Inc

Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMG2301L-13 за ціною від 1.90 грн до 20.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2301L.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.43 грн
20000+2.20 грн
30000+2.16 грн
50000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2301l.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2301l.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2301l.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2301l.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2301l.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2301l.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2126+3.88 грн
2500+3.78 грн
5000+3.34 грн
10000+2.32 грн
20000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 2126
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2301L.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 476 pF @ 10 V
на замовлення 308082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.51 грн
29+10.58 грн
100+6.60 грн
500+4.59 грн
1000+3.86 грн
2000+3.60 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2301L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 10099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.43 грн
27+12.61 грн
100+6.84 грн
500+5.08 грн
1000+3.97 грн
2500+3.83 грн
5000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2301L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2301L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.