на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2301LK-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 840mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG2301LK-13 за ціною від 4.43 грн до 5.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG2301LK-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 840mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 6 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DMG2301LK-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||
 |
DMG2301LK-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 298mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -1.9A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 3.4nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -8A кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
|||||||||
 |
DMG2301LK-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
DMG2301LK-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 298mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -1.9A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 3.4nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -8A |
товар відсутній |