DMG2301U-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 399000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.45 грн |
| 6000+ | 4.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2301U-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V.
Інші пропозиції DMG2301U-7 за ціною від 4.27 грн до 21.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG2301U-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG2301U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V |
на замовлення 405680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG2301U-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-23 |
на замовлення 20941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG2301U-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
DMG2301U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -1.7A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 6.5nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -27A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
DMG2301U-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Drain current: -1.7A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 6.5nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -27A |
товар відсутній |