Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG2301U-7
DMG2301U-7

DMG2301U-7 Diodes Incorporated

DMG2301U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.11 грн
6000+4.85 грн
9000+4.71 грн
15000+4.36 грн
21000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2301U-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG2301U-7 за ціною від 4.89 грн до 32.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Виробник : Diodes Zetex 164ds31848.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Виробник : Diodes Zetex 164ds31848.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.72 грн
6000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Виробник : Diodes Zetex 164ds31848.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0003568462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.23 грн
110+7.74 грн
500+6.40 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0003568462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.15 грн
50+17.23 грн
110+7.74 грн
500+6.40 грн
1000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2301U.pdf MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 14631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.04 грн
20+18.01 грн
100+6.85 грн
1000+6.25 грн
3000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2301U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 185459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.57 грн
17+19.13 грн
100+12.07 грн
500+8.46 грн
1000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Виробник : Diodes Inc 164ds31848.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2301U.pdf DMG2301U-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.