Продукція > DIODES ZETEX > DMG2301U-7
DMG2301U-7

DMG2301U-7 Diodes Zetex

164ds31848.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.23 грн
6000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2301U-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG2301U-7 за ціною від 6.23 грн до 40.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Diodes Zetex 164ds31848.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Diodes Incorporated DMG2301U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 65850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.12 грн
9000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Diodes Zetex 164ds31848.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Diodes Incorporated DMG2301U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 65912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.02 грн
14+21.99 грн
25+18.27 грн
50+14.92 грн
100+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 Diodes Incorporated ds31848.pdf MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+40.36 грн
17+17.66 грн
100+13.46 грн
500+12.51 грн
1000+10.02 грн
3000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003568462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003568462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 164ds31848.pdf
DMG2301U-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U.pdf
DMG2301U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 65850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.12 грн
9000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 164ds31848.pdf
DMG2301U-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U.pdf
DMG2301U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 6 V
на замовлення 65912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.02 грн
14+21.99 грн
25+18.27 грн
50+14.92 грн
100+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 ds31848.pdf
DMG2301U-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET P-CHANNEL SOT-23
на замовлення 5650 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.36 грн
17+17.66 грн
100+13.46 грн
500+12.51 грн
1000+10.02 грн
3000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DIOD-S-A0003568462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG2301U-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DIOD-S-A0003568462-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG2301U-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2301U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.