Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2302U-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMG2302U-7 за ціною від 5.60 грн до 52.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG2302U-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG2302U-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG2302U-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V |
на замовлення 59957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG2302U-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMG2302U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.26 грн |
| 6000+ | 7.24 грн |
| 9000+ | 6.87 грн |
| 15000+ | 6.06 грн |
| 21000+ | 5.83 грн |
| 30000+ | 5.60 грн |
| DMG2302U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.20 грн |
| 6000+ | 10.57 грн |
| 9000+ | 10.01 грн |
| 15000+ | 9.07 грн |
| 21000+ | 8.08 грн |
| 30000+ | 7.48 грн |
| DMG2302U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 59957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.18 грн |
| 14+ | 22.09 грн |
| 100+ | 14.00 грн |
| 500+ | 9.87 грн |
| 1000+ | 8.81 грн |
| DMG2302U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 20V N-Chan
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.92 грн |
| 10+ | 34.53 грн |
| 100+ | 18.99 грн |
| 500+ | 12.52 грн |
| 1000+ | 9.92 грн |
| 3000+ | 6.61 грн |




