DMG2302UK-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.22 грн |
| 25+ | 12.89 грн |
| 100+ | 6.36 грн |
| 500+ | 5.59 грн |
| 1000+ | 4.51 грн |
| 2000+ | 4.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2302UK-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG2302UK-13 за ціною від 3.02 грн до 23.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG2302UK-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 4595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMG2302UK-13 Код товару: 198291
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
DMG2302UK-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMG2302UK-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMG2302UK-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 1.1W Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMG2302UK-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMG2302UK-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 1.1W Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V |
товару немає в наявності |