DMG2302UK-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 90mΩ
Power dissipation: 0.66W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 21.43 грн |
| 30+ | 13.93 грн |
| 100+ | 8.18 грн |
| 500+ | 5.99 грн |
| 1000+ | 5.26 грн |
| 1500+ | 4.92 грн |
| 3000+ | 4.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2302UK-7 DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 660mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMG2302UK-7 за ціною від 3.38 грн до 24.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG2302UK-7 | DIODES/ZETEX |
Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 965 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMG2302UK-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 301123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMG2302UK-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 660mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 721 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: DIODES/ZETEX
Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 965 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3.38 грн |
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.64 грн |
| 6000+ | 4.59 грн |
| 9000+ | 4.54 грн |
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3049+ | 4.64 грн |
| 6000+ | 4.59 грн |
| 9000+ | 4.54 грн |
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.20 грн |
| 6000+ | 4.51 грн |
| 9000+ | 4.26 грн |
| 15000+ | 3.74 грн |
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 721+ | 6.54 грн |
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.15 грн |
| 6000+ | 6.50 грн |
| 9000+ | 5.46 грн |
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.15 грн |
| 6000+ | 6.50 грн |
| 9000+ | 5.46 грн |
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.80 грн |
| 21+ | 14.55 грн |
| 100+ | 9.10 грн |
| 500+ | 6.33 грн |
| 1000+ | 5.61 грн |
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 301123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 660mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG2302UK-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)