DMG2302UK-7 DIODES INCORPORATED
Виробник: DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Case: SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Mounting: SMD
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 19.76 грн |
| 31+ | 12.38 грн |
| 50+ | 8.35 грн |
| 100+ | 6.96 грн |
| 243+ | 3.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2302UK-7 DIODES INCORPORATED
Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 660mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMG2302UK-7 за ціною від 2.55 грн до 23.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
DMG2302UK-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23 Case: SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.66W Polarisation: unipolar Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 271 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2302UK-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2302UK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1131000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2302UK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2302UK-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 660mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.061ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2302UK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.061 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2302UK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 70454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2302UK-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 626479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMG2302UK-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 2,8A; 660mW; -55°C ~ 150°C; DMG2302UK-7, DMG2302UK-13; DMG2302UK Diodes TDMG2302uk кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|