DMG2302UKQ-13

DMG2302UKQ-13 Diodes Incorporated


DMG2302UKQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9059 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.83 грн
17+18.79 грн
100+10.86 грн
500+8.36 грн
1000+6.85 грн
2000+6.48 грн
5000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2302UKQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG2302UKQ-13 за ціною від 4.98 грн до 34.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG2302UKQ-13 DMG2302UKQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2302UKQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.86 грн
17+21.00 грн
100+10.34 грн
500+8.60 грн
1000+6.57 грн
5000+5.96 грн
10000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13 DMG2302UKQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2302ukq.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13 Виробник : Diodes Inc dmg2302ukq.pdf MOSFET BVDSS: 8V24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13 DMG2302UKQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2302UKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13 DMG2302UKQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2302UKQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13 DMG2302UKQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2302UKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 2.2A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 12A
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.