DMG2302UKQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 31.83 грн |
17+ | 18.79 грн |
100+ | 10.86 грн |
500+ | 8.36 грн |
1000+ | 6.85 грн |
2000+ | 6.48 грн |
5000+ | 5.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2302UKQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG2302UKQ-13 за ціною від 4.98 грн до 34.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMG2302UKQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 2528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMG2302UKQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DMG2302UKQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
DMG2302UKQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 1.1W Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
DMG2302UKQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DMG2302UKQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 1.1W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 1.4nC On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 1.1W Drain current: 2.2A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 12A Drain-source voltage: 20V |
товару немає в наявності |