Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG2302UQ-13
DMG2302UQ-13

DMG2302UQ-13 Diodes Incorporated

DMG2302UQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+8 грн
30000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2302UQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMG2302UQ-13 за ціною від 7.66 грн до 26.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG2302UQ-13 DMG2302UQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2302uq.pdf N-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
DMG2302UQ-13 DMG2302UQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2302UQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594.3 pF @ 10 V
на замовлення 48770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.72 грн
13+ 22.18 грн
100+ 15.41 грн
500+ 11.29 грн
1000+ 9.18 грн
2000+ 8.21 грн
5000+ 7.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG2302UQ-13 DMG2302UQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2302UQ.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 20Vdss 8Vgss 27A
товар відсутній