DMG2305UX-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.61 грн |
| 20000+ | 3.17 грн |
| 30000+ | 3.01 грн |
| 50000+ | 2.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2305UX-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMG2305UX-13 за ціною від 2.90 грн до 22.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 173916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V |
на замовлення 87055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
на замовлення 55623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 173916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Inc./Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
DMG2305UX-13 Код товару: 181611
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |