Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > DMG2305UX-13

DMG2305UX-13

DMG2305UX.pdf
Код товару: 181611
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMG2305UX-13 за ціною від 2.29 грн до 156.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.36 грн
20000+2.94 грн
30000+2.80 грн
50000+2.47 грн
70000+2.38 грн
100000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 193195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.15 грн
26+11.72 грн
100+7.31 грн
500+5.07 грн
1000+4.48 грн
2000+3.99 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Inc./Zetex DMG2305UX.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
на замовлення 120576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 72501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 DIODES INC. DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 72501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.36 грн
20000+2.94 грн
30000+2.80 грн
50000+2.47 грн
70000+2.38 грн
100000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 dmg2305ux.pdf
DMG2305UX-13
Виробник: Diodes Zetex
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 dmg2305ux.pdf
DMG2305UX-13
Виробник: Diodes Zetex
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 193195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.15 грн
26+11.72 грн
100+7.31 грн
500+5.07 грн
1000+4.48 грн
2000+3.99 грн
5000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-13
Виробник: Diodes Inc./Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
на замовлення 120576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 dmg2305ux.pdf
DMG2305UX-13
Виробник: Diodes Zetex
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG2305UX-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 72501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG2305UX-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 72501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.