Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG2305UX-13
DMG2305UX-13

DMG2305UX-13 Diodes Incorporated

DMG2305UX.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 63900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.30 грн
20000+3.04 грн
30000+2.95 грн
50000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2305UX-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG2305UX-13 за ціною від 2.96 грн до 21.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.82 грн
20000+3.53 грн
60000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.21 грн
20000+3.95 грн
40000+3.86 грн
60000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 193919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.18 грн
250+6.76 грн
1000+4.93 грн
5000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 69303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.04 грн
31+10.26 грн
100+6.85 грн
500+5.31 грн
1000+4.31 грн
2000+4.08 грн
5000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
на замовлення 128797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.81 грн
31+11.51 грн
100+7.20 грн
500+5.23 грн
1000+4.24 грн
5000+3.79 грн
10000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : DIODES INC. DMG2305UX.pdf Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 188506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.85 грн
63+13.69 грн
250+8.84 грн
1000+5.07 грн
5000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Inc./Zetex DMG2305UX.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13
Код товару: 181611
Додати до обраних Обраний товар

DMG2305UX.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Inc dmg2305ux.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf DMG2305UX-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.