Інші пропозиції DMG2305UX-13 за ціною від 2.32 грн до 156.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 72501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
на замовлення 193195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V |
на замовлення 60651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 72501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Inc./Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |