Продукція > DIODES ZETEX > DMG2305UX-13
DMG2305UX-13

DMG2305UX-13 Diodes Zetex

dmg2305ux.pdf Виробник: Diodes Zetex
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2305UX-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG2305UX-13 за ціною від 2.73 грн до 21.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 4074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1976+3.81 грн
3000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 1976
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13
Код товару: 181611
Додати до обраних Обраний товар

DMG2305UX.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.24 грн
30000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.49 грн
30000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Zetex dmg2305ux.pdf Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 4074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2965+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 2965
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 193919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.62 грн
250+6.47 грн
1000+4.72 грн
5000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.62 грн
25+12.17 грн
100+7.61 грн
500+5.27 грн
1000+4.19 грн
2000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V
на замовлення 183411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.15 грн
30+11.43 грн
100+5.22 грн
1000+4.43 грн
2500+3.85 грн
10000+3.41 грн
20000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013120650-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 193919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+21.82 грн
65+12.62 грн
250+6.47 грн
1000+4.72 грн
5000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 Виробник : DIODES/ZETEX DMG2305UX.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
250+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Транзистор польовий SOT-23-3 P-Ch Vdss=-20V, Id=3,3A, Rdson=0.052 Ohm, Vgs=-4,5 V;
на замовлення 123 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
16+18.55 грн
18+15.07 грн
100+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Inc./Zetex DMG2305UX.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Inc dmg2305ux.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG2305UX.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.