DMG2305UX-13 Diodes Zetex
Виробник: Diodes Zetex
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W.
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 3.05 грн |
20000+ | 3.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2305UX-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMG2305UX-13 за ціною від 2.34 грн до 20.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 210000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
на замовлення 2650000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 4637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 204817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Zetex | Automotive-grade P-channel SOT-23 MOSFET with a maximum drain-source voltage of -20 V, continuous drain current of -4.2 A, and a maximum thermal dissipation of 1.4 W. |
на замовлення 4637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 204817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOhm -5.0V |
на замовлення 187060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
на замовлення 2660460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 Код товару: 181611 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES/ZETEX |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305ux кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Incorporated | Транзистор польовий SOT-23-3 P-Ch Vdss=-20V, Id=3,3A, Rdson=0.052 Ohm, Vgs=-4,5 V; |
на замовлення 123 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Inc./Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED | DMG2305UX-13 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DMG2305UX-13 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |