
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 2.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2305UX-7 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMG2305UX-7 за ціною від 2.03 грн до 16.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
на замовлення 3999000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 246000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 249000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 317585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.3A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
на замовлення 4001317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 317525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 891278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.3A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2793 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
DMG2305UX-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
![]() кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 330 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |