DMG2305UX-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 119432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.74 грн |
| 1500+ | 4.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2305UX-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMG2305UX-7 за ціною від 3.19 грн до 19.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch ENH FET -20V 52mOh -5A |
на замовлення 486842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| DMG2305UX-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305uxкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DMG2305UX-7 | Виробник : DIODES/ZETEX |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 200mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; DMG2305UX-7, DMG2305UX-13 DMG2305UX TDMG2305uxкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 330 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| DMG2305UX-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2305UX-7 - MOSFET, P-KANAL, -20V, SOT-23-3tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 119432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DMG2305UX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
DMG2305UX-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.3A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |


