Продукція > DIODES INC > DMG2305UXQ-7
DMG2305UXQ-7

DMG2305UXQ-7 Diodes Inc

dmg2305uxq.pdf Виробник: Diodes Inc
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 474000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2305UXQ-7 Diodes Inc

Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG2305UXQ-7 за ціною від 3.35 грн до 20.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2305uxq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.23 грн
9000+3.61 грн
24000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2305uxq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.26 грн
9000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2305UXQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.26 грн
6000+3.54 грн
9000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2305uxq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.56 грн
9000+3.89 грн
24000+3.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2305uxq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.61 грн
9000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006455645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UXQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.57 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2305UXQ.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.10 грн
25+12.57 грн
100+6.58 грн
500+5.84 грн
1000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2305UXQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 94341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.43 грн
25+13.62 грн
100+6.18 грн
1000+5.52 грн
3000+3.90 грн
9000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006455645-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2305UXQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+20.88 грн
59+14.19 грн
111+7.48 грн
500+6.57 грн
1000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2305uxq.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.