Продукція > DIODES INC > DMG2307L-7
DMG2307L-7

DMG2307L-7 Diodes Inc

dmg2307l.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2307L-7 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 760mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG2307L-7 за ціною від 2.66 грн до 33.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.63 грн
6000+2.90 грн
9000+2.79 грн
15000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.73 грн
6000+2.96 грн
9000+2.85 грн
15000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2307L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.44 грн
6000+6.07 грн
9000+5.37 грн
30000+4.98 грн
75000+4.23 грн
150000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.55 грн
6000+3.93 грн
9000+2.79 грн
15000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.68 грн
6000+4.01 грн
9000+2.85 грн
15000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : DIODES INC. 2814388.pdf Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.60 грн
500+9.28 грн
1500+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA348EC9082748&compId=DMG2307L.pdf?ci_sign=352537f1d7e959733ec1c2b5d06657d785f0104c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.09 грн
24+16.74 грн
50+10.53 грн
100+8.72 грн
252+3.67 грн
691+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2307L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.39 грн
16+19.97 грн
100+10.05 грн
500+8.36 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2307L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.78 грн
21+16.75 грн
100+9.66 грн
500+7.85 грн
1000+7.02 грн
3000+4.90 грн
6000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE797FA348EC9082748&compId=DMG2307L.pdf?ci_sign=352537f1d7e959733ec1c2b5d06657d785f0104c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.51 грн
15+20.86 грн
50+12.64 грн
100+10.46 грн
252+4.41 грн
691+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : DIODES INC. 2814388.pdf Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.95 грн
53+16.25 грн
100+11.60 грн
500+9.28 грн
1500+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.