DMG2307L-7

DMG2307L-7 Diodes Zetex


dmg2307l.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 738000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2307L-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 760mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції DMG2307L-7 за ціною від 3.07 грн до 26.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.04 грн
9000+ 3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.43 грн
9000+ 4.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2307L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 849000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.7 грн
6000+ 5.37 грн
9000+ 4.76 грн
30000+ 4.4 грн
75000+ 3.74 грн
150000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : DIODES INC. 2814388.pdf Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 8929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.31 грн
500+ 6.05 грн
1500+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2307L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+11.38 грн
85+ 4.26 грн
100+ 3.76 грн
250+ 3.25 грн
690+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 35
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2307L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+13.66 грн
50+ 5.3 грн
100+ 4.51 грн
250+ 3.9 грн
690+ 3.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : DIODES INC. 2814388.pdf Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 8929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+20.3 грн
53+ 14.3 грн
100+ 8.31 грн
500+ 6.05 грн
1500+ 5.48 грн
Мінімальне замовлення: 37
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2307L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 850597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26 грн
16+ 17.66 грн
100+ 8.89 грн
500+ 7.4 грн
1000+ 5.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0006167390_1-2542745.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
на замовлення 72318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.79 грн
17+ 18.43 грн
100+ 7.01 грн
1000+ 5.81 грн
3000+ 5.01 грн
9000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Виробник : Diodes Inc dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній