| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.95 грн |
| 6000+ | 3.07 грн |
| 9000+ | 2.95 грн |
| 15000+ | 2.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2307L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 760mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMG2307L-7 за ціною від 2.82 грн до 32.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG2307L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2307L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V |
на замовлення 674000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2307L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2307L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2307L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 760mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2307L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 0.134Ω Power dissipation: 0.76W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 1376 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2307L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V |
на замовлення 674279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2307L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K |
на замовлення 49589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2307L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMG2307L-7 | Виробник : Diodes |
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |