Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG2307L-7
DMG2307L-7

DMG2307L-7 Diodes Incorporated

DMG2307L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 674000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.12 грн
6000+5.76 грн
9000+5.10 грн
30000+4.73 грн
75000+4.02 грн
150000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2307L-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції DMG2307L-7 за ціною від 5.84 грн до 27.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INCORPORATED DMG2307L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.00 грн
26+16.08 грн
50+11.44 грн
100+9.84 грн
500+6.90 грн
1000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Incorporated DMG2307L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
16+18.95 грн
100+9.54 грн
500+7.94 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Incorporated DMG2307L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
на замовлення 49589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
DMG2307L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 0.76W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.00 грн
26+16.08 грн
50+11.44 грн
100+9.84 грн
500+6.90 грн
1000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
DMG2307L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.90 грн
16+18.95 грн
100+9.54 грн
500+7.94 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
DMG2307L-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
на замовлення 49589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.