DMG2307L-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.20 грн |
| 6000+ | 5.84 грн |
| 9000+ | 5.17 грн |
| 30000+ | 4.79 грн |
| 75000+ | 4.07 грн |
| 150000+ | 3.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG2307L-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount.
Інші пропозиції DMG2307L-7 за ціною від 4.61 грн до 29.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG2307L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 0.134Ω Power dissipation: 0.76W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 1376 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG2307L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V |
на замовлення 674279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG2307L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K |
на замовлення 49589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|