Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG2307L-7
DMG2307L-7

DMG2307L-7 Diodes Incorporated

DMG2307L.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 674000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.12 грн
6000+5.76 грн
9000+5.10 грн
30000+4.73 грн
75000+4.02 грн
150000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2307L-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 760mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG2307L-7 за ціною від 2.87 грн до 28.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.51 грн
6000+3.36 грн
9000+3.22 грн
15000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.63 грн
6000+3.42 грн
9000+3.29 грн
15000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
6000+4.24 грн
9000+3.01 грн
15000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Zetex dmg2307l.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+4.33 грн
9000+3.07 грн
15000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Incorporated DMG2307L.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
16+18.95 грн
100+9.54 грн
500+7.94 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INCORPORATED DMG2307L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.57 грн
22+18.99 грн
50+12.95 грн
100+10.88 грн
500+7.37 грн
1000+6.06 грн
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
9000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 Diodes Incorporated DMG2307L.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
на замовлення 49589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INC. 2814388.pdf Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L-7 DIODES INC. 2814388.pdf Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DIODES/ZETEX DMG2307L.pdf P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A DMG2307L TDMG2307l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 dmg2307l.pdf
DMG2307L-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.51 грн
6000+3.36 грн
9000+3.22 грн
15000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 dmg2307l.pdf
DMG2307L-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.63 грн
6000+3.42 грн
9000+3.29 грн
15000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 dmg2307l.pdf
DMG2307L-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.07 грн
6000+4.24 грн
9000+3.01 грн
15000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 dmg2307l.pdf
DMG2307L-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.21 грн
6000+4.33 грн
9000+3.07 грн
15000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
DMG2307L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
на замовлення 674279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.90 грн
16+18.95 грн
100+9.54 грн
500+7.94 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
DMG2307L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.76W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.134Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.57 грн
22+18.99 грн
50+12.95 грн
100+10.88 грн
500+7.37 грн
1000+6.06 грн
3000+4.74 грн
6000+4.11 грн
9000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
DMG2307L-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
на замовлення 49589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 2814388.pdf
DMG2307L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 2814388.pdf
DMG2307L-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG2307L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 760mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
Виробник: DIODES/ZETEX
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 90mOhm, -30V, -3.8A DMG2307L TDMG2307l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.