Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG2307LQ-7
DMG2307LQ-7

DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated

DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG2307LQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG2307LQ-7 за ціною від 3.99 грн до 35.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307lq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307lq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+15.57 грн
61+11.47 грн
114+5.93 грн
250+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006646660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2307LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.25 грн
500+11.32 грн
1000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 760mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 371.3 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 71575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.75 грн
16+20.75 грн
100+12.47 грн
500+10.83 грн
1000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.63 грн
18+22.48 грн
20+19.81 грн
100+12.18 грн
161+5.74 грн
443+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006646660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG2307LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 760mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+32.42 грн
37+23.45 грн
100+16.25 грн
500+11.32 грн
1000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf MOSFETs 30V P-Ch Enhancement Mode
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.07 грн
16+22.48 грн
100+13.05 грн
500+9.73 грн
1000+8.68 грн
3000+7.40 грн
6000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.55 грн
11+28.01 грн
12+23.77 грн
100+14.62 грн
161+6.89 грн
443+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307lq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmg2307lq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 Виробник : Diodes Inc dmg2307lq.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.