DMG301NU-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 7.99 грн |
| 30000+ | 7.58 грн |
| 50000+ | 7.12 грн |
| 100000+ | 6.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG301NU-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMG301NU-13 за ціною від 6.89 грн до 34.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG301NU-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 320mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG301NU-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG301NU-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W |
на замовлення 18085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG301NU-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): 8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 378782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMG301NU-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMG301NU-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 260 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 13631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 14.11 грн |
| 66+ | 12.47 грн |
| 250+ | 11.16 грн |
| 1000+ | 9.07 грн |
| 5000+ | 8.23 грн |
| DMG301NU-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 16.41 грн |
| 33+ | 13.21 грн |
| 35+ | 12.11 грн |
| 50+ | 10.07 грн |
| 100+ | 9.65 грн |
| 250+ | 9.06 грн |
| 500+ | 8.55 грн |
| 1000+ | 8.47 грн |
| DMG301NU-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
на замовлення 18085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.20 грн |
| 20+ | 16.17 грн |
| 100+ | 8.65 грн |
| 1000+ | 7.52 грн |
| 2500+ | 7.10 грн |
| 10000+ | 6.89 грн |
| DMG301NU-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): 8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): 8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 378782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.02 грн |
| 12+ | 25.67 грн |
| 100+ | 15.39 грн |
| 500+ | 13.37 грн |
| 1000+ | 9.09 грн |
| 2000+ | 8.37 грн |
| 5000+ | 7.89 грн |