| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG301NU-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): 8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMG301NU-7 за ціною від 6.91 грн до 41.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG301NU-7 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V |
на замовлення 528000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG301NU-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): 8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V |
на замовлення 528000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG301NU-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 5Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG301NU-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W |
на замовлення 11211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMG301NU-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.85 грн |
| 6000+ | 8.91 грн |
| 15000+ | 8.34 грн |
| 30000+ | 7.18 грн |
| 75000+ | 6.91 грн |
| DMG301NU-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.27 грн |
| 12+ | 27.32 грн |
| 100+ | 18.59 грн |
| 500+ | 13.08 грн |
| 1000+ | 9.81 грн |
| DMG301NU-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 41.55 грн |
| 18+ | 23.99 грн |
| 50+ | 17.44 грн |
| 100+ | 15.10 грн |
| 500+ | 11.32 грн |
| 1000+ | 10.15 грн |
| DMG301NU-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
на замовлення 11211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)