Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG301NU-7
DMG301NU-7

DMG301NU-7 Diodes Incorporated

DMG301NU.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.74 грн
6000+8.81 грн
15000+8.24 грн
30000+7.10 грн
75000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG301NU-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): 8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMG301NU-7 за ціною від 8.62 грн до 34.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG301NU-7 DMG301NU-7 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Power dissipation: 0.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.93 грн
21+20.06 грн
100+13.51 грн
500+10.03 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7 DMG301NU-7 Diodes Incorporated DMG301NU.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.87 грн
12+27.01 грн
100+18.38 грн
500+12.93 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7 DMG301NU-7 Diodes Incorporated DMG301NU.pdf MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
на замовлення 16409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7 DMG301NU.pdf
DMG301NU-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Power dissipation: 0.4W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.93 грн
21+20.06 грн
100+13.51 грн
500+10.03 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7 DMG301NU.pdf
DMG301NU-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): 8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 528000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.87 грн
12+27.01 грн
100+18.38 грн
500+12.93 грн
1000+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7 DMG301NU.pdf
DMG301NU-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W
на замовлення 16409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.