Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG302PU-13
DMG302PU-13

DMG302PU-13 Diodes Incorporated

DMG302PU.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 650000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.93 грн
20000+7.05 грн
30000+6.76 грн
50000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG302PU-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMG302PU-13 за ціною від 7.74 грн до 41.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG302PU-13 DMG302PU-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG302PU.pdf MOSFETs 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W
на замовлення 17079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+37.32 грн
13+27.61 грн
100+15.33 грн
500+11.62 грн
1000+9.29 грн
5000+8.44 грн
10000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-13 DMG302PU-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG302PU.pdf Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 652737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.89 грн
13+25.09 грн
100+16.02 грн
500+11.34 грн
1000+10.15 грн
2000+9.15 грн
5000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-13 DMG302PU-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Pulsed drain current: -0.5A
Drain current: -0.14A
Gate charge: 0.35nC
Power dissipation: 0.45W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.