DMG302PU-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 8.05 грн |
| 20000+ | 7.07 грн |
| 30000+ | 6.85 грн |
| 50000+ | 6.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG302PU-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Vgs (Max): -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMG302PU-13 за ціною від 7.80 грн до 38.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG302PU-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 25V 170MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V |
на замовлення 727935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG302PU-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 25V P-Ch Enh Mode FET -8Vgss 0.33W |
на замовлення 19689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG302PU-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: -25V Drain current: -140mA On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -0.5A кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMG302PU-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: -25V Drain current: -140mA On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -0.5A |
товару немає в наявності |