Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG3401LSN-7
DMG3401LSN-7

DMG3401LSN-7 Diodes Incorporated

DMG3401LSN.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.13 грн
6000+6.23 грн
9000+5.90 грн
15000+5.20 грн
21000+4.99 грн
30000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG3401LSN-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-59-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMG3401LSN-7 за ціною від 7.63 грн до 32.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG3401LSN-7 DMG3401LSN-7 Diodes Incorporated DMG3401LSN.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
на замовлення 39648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
16+19.25 грн
100+12.19 грн
500+8.56 грн
1000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7 DMG3401LSN-7 Diodes Incorporated DMG3401LSN.pdf MOSFETs 30V P-CH MOSFET
на замовлення 10067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7 DMG3401LSN.pdf
DMG3401LSN-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V
на замовлення 39648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
16+19.25 грн
100+12.19 грн
500+8.56 грн
1000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7 DMG3401LSN.pdf
DMG3401LSN-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V P-CH MOSFET
на замовлення 10067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.