на замовлення 1002000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3401LSNQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 800mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-59-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMG3401LSNQ-7 за ціною від 9.65 грн до 39.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG3401LSNQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V |
на замовлення 1320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3401LSNQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1326 pF @ 15 V |
на замовлення 1320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3401LSNQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SC59 T&R 3K |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMG3401LSNQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
MOSFET BVDSS, 31V to 40V SC59 3K |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
DMG3401LSNQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
MOSFET 31V to 40V SC59 3K Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMG3401LSNQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMG3401LSNQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 25.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |