DMG3402L-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.90 грн |
| 6000+ | 6.02 грн |
| 9000+ | 5.71 грн |
| 15000+ | 5.02 грн |
| 21000+ | 4.82 грн |
| 30000+ | 4.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3402L-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMG3402L-7 за ціною від 5.32 грн до 36.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG3402L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±12V |
на замовлення 977 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG3402L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V |
на замовлення 473497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG3402L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 305pF 8.2nC |
на замовлення 16617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|