
на замовлення 13579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 44.53 грн |
13+ | 26.84 грн |
100+ | 15.66 грн |
500+ | 11.37 грн |
1000+ | 10.01 грн |
2500+ | 9.03 грн |
5000+ | 7.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3402LQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG3402LQ-13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMG3402LQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DMG3402LQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DMG3402LQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Gate charge: 11.7nC On-state resistance: 85mΩ Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|
|
DMG3402LQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DMG3402LQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Gate charge: 11.7nC On-state resistance: 85mΩ Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry |
товару немає в наявності |