DMG3402LQ-7 Diodes Zetex
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1680+ | 6.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3402LQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG3402LQ-7 за ціною від 6.07 грн до 31.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG3402LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3402LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3402LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3402LQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 6591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3402LQ-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMG3402LQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMG3402LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 11.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMG3402LQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Gate charge: 11.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |