DMG3406L-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.19 грн |
| 30000+ | 3.96 грн |
| 50000+ | 3.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3406L-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMG3406L-13 за ціною від 2.83 грн до 28.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG3406L-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG3406L-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG3406L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 15 V |
на замовлення 286631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG3406L-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A |
на замовлення 236395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG3406L-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMG3406L-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 3.6A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
DMG3406L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMG3406L-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |