на замовлення 50921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3407SSN-7 Diodes Inc
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-59-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMG3407SSN-7 за ціною від 5.21 грн до 26.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG3407SSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3407SSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3407SSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3407SSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3407SSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3407SSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 15 V |
на замовлення 14709 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3407SSN-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS |
на замовлення 5503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3407SSN-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 3-Pin SC-59 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.1W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMG3407SSN-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 1.1W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 72mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |