на замовлення 723000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3413L-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMG3413L-7 за ціною від 6.49 грн до 35.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG3413L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 717000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3413L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 705000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3413L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V |
на замовлення 723000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3413L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3413L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 857 pF @ 10 V |
на замовлення 725961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG3413L-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3413L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.073 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3413L-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS |
на замовлення 4914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG3413L-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMG3413L-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMG3413L-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMG3413L-7 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |