Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG3414U-7
DMG3414U-7

DMG3414U-7 Diodes Incorporated

DMG3414U.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.25 грн
6000+10.80 грн
9000+10.30 грн
15000+9.13 грн
21000+8.82 грн
30000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG3414U-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 780mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V.

Інші пропозиції DMG3414U-7 за ціною від 10.33 грн до 53.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG3414U-7 DMG3414U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG3414U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.92 грн
18+23.93 грн
25+18.59 грн
100+12.76 грн
150+11.76 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7 DMG3414U-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG3414U.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.10 грн
11+29.82 грн
25+22.31 грн
100+15.31 грн
150+14.11 грн
500+11.71 грн
750+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7 DMG3414U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG3414U.pdf MOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.17 грн
12+32.13 грн
100+20.33 грн
500+15.13 грн
1000+13.45 грн
3000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7 DMG3414U-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG3414U.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 99029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.68 грн
11+32.27 грн
100+20.74 грн
500+14.82 грн
1000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7 DMG3414U-7 Виробник : Diodes Zetex ds31739.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7 DMG3414U-7 Виробник : Diodes Zetex ds31739.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7
Код товару: 197913
Додати до обраних Обраний товар

DMG3414U.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7 DMG3414U-7 Виробник : Diodes Zetex ds31739.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7 DMG3414U-7 Виробник : Diodes Inc ds31739.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.