Інші пропозиції DMG3414U-7 за ціною від 7.92 грн до 49.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG3414U-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23 Case: SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 37mΩ Power dissipation: 0.78W Drain current: 3.2A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Kind of package: 7 inch reel; tape |
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM |
на замовлення 6646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG3414U-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V |
на замовлення 99029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMG3414U-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
DMG3414U-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.19 грн |
| 6000+ | 9.87 грн |
| 9000+ | 9.41 грн |
| 15000+ | 8.34 грн |
| 21000+ | 8.06 грн |
| 30000+ | 7.92 грн |
| DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 0.78W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 37mΩ
Power dissipation: 0.78W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 36.47 грн |
| 18+ | 24.89 грн |
| 100+ | 16.34 грн |
| 150+ | 14.73 грн |
| DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM
MOSFETs N-Ch 20V VDSS 8 Vgss 30A IDM
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.81 грн |
| 12+ | 28.23 грн |
| 100+ | 17.86 грн |
| 500+ | 13.29 грн |
| 1000+ | 11.81 грн |
| 3000+ | 9.07 грн |
| DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
на замовлення 99029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.05 грн |
| 11+ | 29.48 грн |
| 100+ | 18.95 грн |
| 500+ | 13.54 грн |
| 1000+ | 12.17 грн |
| DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.





