Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG3414UQ-7
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7 Diodes Incorporated

DMG3414UQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.19 грн
6000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG3414UQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 780mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG3414UQ-7 за ціною від 8.98 грн до 37.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 Diodes Incorporated DMG3414UQ.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.20 грн
14+22.24 грн
100+14.18 грн
500+10.03 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 Diodes Incorporated DMG3414UQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 21640 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011708472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011708472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ.pdf
DMG3414UQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 780mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.20 грн
14+22.24 грн
100+14.18 грн
500+10.03 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ.pdf
DMG3414UQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 21640 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DIOD-S-A0011708472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG3414UQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DIOD-S-A0011708472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG3414UQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.