на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3414UQ-7 Diodes Inc
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 780mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG3414UQ-7 за ціною від 3.98 грн до 42.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG3414UQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG3414UQ-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG3414UQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG3414UQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 780mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG3414UQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V |
на замовлення 62941 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG3414UQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMG3414UQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
DMG3414UQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 780mW Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829.9 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |