Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > DMG3415U-7

DMG3415U-7

DMG3415U.pdf
Код товару: 138016
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMG3415U-7 за ціною від 6.35 грн до 38.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG3415U-7 DMG3415U-7 Diodes Incorporated DMG3415U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 65760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.68 грн
9000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 DMG3415U-7 Diodes Zetex ds31735.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
9000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 DMG3415U-7 Diodes Zetex ds31735.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.53 грн
9000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 DMG3415U-7 Diodes Incorporated DMG3415U.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 65840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.56 грн
15+20.77 грн
25+17.24 грн
50+14.11 грн
100+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 DMG3415U-7 Diodes Incorporated DMG3415U.pdf MOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 19377 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+38.22 грн
18+16.69 грн
100+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 DMG3415U-7 DIODES INC. 1915618.pdf Description: DIODES INC. - DMG3415U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0425 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 DMG3415U-7 DIODES INC. 1915618.pdf Description: DIODES INC. - DMG3415U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0425 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 DMG3415U.pdf
DMG3415U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 65760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.68 грн
9000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 ds31735.pdf
DMG3415U-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.49 грн
9000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 ds31735.pdf
DMG3415U-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.53 грн
9000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 DMG3415U.pdf
DMG3415U-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
на замовлення 65840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.56 грн
15+20.77 грн
25+17.24 грн
50+14.11 грн
100+12.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 DMG3415U.pdf
DMG3415U-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 19377 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.22 грн
18+16.69 грн
100+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 1915618.pdf
DMG3415U-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0425 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415U-7 1915618.pdf
DMG3415U-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0425 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0425ohm
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

ERJ-T08J103V
Код товару: 206520
Додати до обраних Обраний товар
1112
SMD резистори > 1206
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C1206C106K9RACTU
Код товару: 206519
Додати до обраних Обраний товар
KEM_C1002_X7R_SMD
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
434351045816
Код товару: 206518
Додати до обраних Обраний товар
434351045816.pdf
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
08056C105MAT2A
Код товару: 206517
Додати до обраних Обраний товар
X7RDielectric.pdf
Керамічні SMD конденсатори > 0805
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MEM2075-00-140-01-A
Код товару: 195900
Додати до обраних Обраний товар
mem2075-spec.pdf
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Роз'єми для карт SIM, microSIM, SD, microSD, Smart
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.