Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG3415UFY4Q-7
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated

DMG3415UFY4Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.15 грн
6000+9.81 грн
9000+9.34 грн
15000+8.27 грн
21000+7.98 грн
30000+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2015, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMG3415UFY4Q-7 за ціною від 9.00 грн до 54.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Diodes Zetex dmg3415ufy4q.pdf Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
836+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Diodes Zetex dmg3415ufy4q.pdf Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
836+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013066212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.69 грн
500+14.63 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q.pdf Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.26 грн
11+28.72 грн
100+18.45 грн
500+13.14 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013066212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.26 грн
29+28.63 грн
100+19.69 грн
500+14.63 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q-7 Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q.pdf MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
на замовлення 11203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.31 грн
10+33.08 грн
100+18.57 грн
500+14.14 грн
1000+12.52 грн
3000+9.85 грн
6000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 dmg3415ufy4q.pdf
DMG3415UFY4Q-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
836+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 dmg3415ufy4q.pdf
DMG3415UFY4Q-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
836+19.67 грн
Мінімальне замовлення: 836 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DIOD-S-A0013066212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG3415UFY4Q-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.69 грн
500+14.63 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q.pdf
DMG3415UFY4Q-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN2015-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.26 грн
11+28.72 грн
100+18.45 грн
500+13.14 грн
1000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DIOD-S-A0013066212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG3415UFY4Q-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.26 грн
29+28.63 грн
100+19.69 грн
500+14.63 грн
1000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q.pdf
DMG3415UFY4Q-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
на замовлення 11203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.31 грн
10+33.08 грн
100+18.57 грн
500+14.14 грн
1000+12.52 грн
3000+9.85 грн
6000+9.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.