DMG3415UFY4Q-7 Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.50 грн |
| 6000+ | 10.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3415UFY4Q-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 650mW, Bauform - Transistor: X2-DFN2015, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMG3415UFY4Q-7 за ціною від 12.11 грн до 19.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex |
 Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 402000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
DMG3415UFY4Q-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W |
на замовлення 9257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
 |
DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 402000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.11 грн |
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 836+ | 19.67 грн |
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
Trans MOSFET P-CH 16V 2.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 836+ | 19.67 грн |
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
MOSFETs P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
на замовлення 9257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMG3415UFY4Q-7 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)