Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG3415UQ-7
DMG3415UQ-7

DMG3415UQ-7 Diodes Incorporated

DMG3415UQ_Rev1-3_Feb2022.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 777000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.26 грн
6000+9.91 грн
9000+9.44 грн
15000+8.36 грн
21000+8.07 грн
30000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG3415UQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG3415UQ-7 за ціною від 11.89 грн до 48.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 Diodes Zetex 1209755731091470ds31735.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3415U.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.86 грн
15+29.35 грн
100+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 Diodes Incorporated DMG3415UQ_Rev1-3_Feb2022.pdf Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 777045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.82 грн
11+28.95 грн
100+18.60 грн
500+13.25 грн
1000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 Diodes Incorporated DMG3415UQ_Rev1-3_Feb2022.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 11599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004428614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0004428614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 1209755731091470ds31735.pdf
DMG3415UQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DMG3415U.pdf
DMG3415UQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.86 грн
15+29.35 грн
100+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ_Rev1-3_Feb2022.pdf
DMG3415UQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 777045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.82 грн
11+28.95 грн
100+18.60 грн
500+13.25 грн
1000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ_Rev1-3_Feb2022.pdf
DMG3415UQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 11599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DIOD-S-A0004428614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG3415UQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DIOD-S-A0004428614-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG3415UQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415UQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.