DMG3418L-13

DMG3418L-13 Diodes Incorporated


DMG3418L.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.87 грн
30000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG3418L-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 464.3 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMG3418L-13 за ціною від 5.66 грн до 33.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG3418L-13 DMG3418L-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG3418L.pdf MOSFETs N-Ch Enh FET 30V 12Vgss 4.0A 1.4W
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.28 грн
15+23.17 грн
100+12.60 грн
500+8.68 грн
1000+7.32 грн
2500+6.57 грн
5000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13 DMG3418L-13 Виробник : Diodes Inc dmg3418l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13 DMG3418L-13 Виробник : Diodes Zetex dmg3418l.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13 DMG3418L-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG3418L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 3.1A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13 DMG3418L-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG3418L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 900mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.15Ω
Drain current: 3.1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.