DMG3420UQ-7 Diodes Zetex
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.48 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG3420UQ-7 Diodes Zetex
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 740mW, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG3420UQ-7 за ціною від 4.57 грн до 46.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG3420UQ-7 | Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 168000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG3420UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.43A; Idm: 20A; 740mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 0.74W Gate charge: 5.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.43A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 91mΩ |
на замовлення 402 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DMG3420UQ-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K |
на замовлення 995 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| DMG3420UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.47A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434.7 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.97 грн |
| 6000+ | 6.56 грн |
| 9000+ | 5.81 грн |
| 30000+ | 5.38 грн |
| 75000+ | 4.57 грн |
| DMG3420UQ-7 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.43A; Idm: 20A; 740mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.74W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 91mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.43A; Idm: 20A; 740mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.74W
Gate charge: 5.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 91mΩ
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 32.88 грн |
| 25+ | 16.75 грн |
| 28+ | 14.86 грн |
| 50+ | 13.37 грн |
| 100+ | 11.80 грн |
| 154+ | 6.11 грн |
| DMG3420UQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3K
на замовлення 995 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.93 грн |
| 15+ | 20.61 грн |
| 100+ | 15.65 грн |
| 500+ | 13.31 грн |
| 3000+ | 7.39 грн |