DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13 Diodes Zetex


ds31754.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
на замовлення 25000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4413LSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG4413LSS-13 за ціною від 28.19 грн до 75.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31754.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006917977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.62 грн
500+34.05 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31754.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.55 грн
10+55.87 грн
100+40.71 грн
500+30.66 грн
1000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31754.pdf MOSFETs MOSFET,P-CHANNEL
на замовлення 9096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.14 грн
10+58.86 грн
100+37.37 грн
500+29.92 грн
1000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0006917977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4413LSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 6300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.92 грн
14+62.58 грн
100+45.62 грн
500+34.05 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Виробник : Diodes Zetex ds31754.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Виробник : Diodes Zetex ds31754.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13 DMG4413LSS-13 Виробник : Diodes Inc ds31754.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.