DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 25.78 грн |
| 5000+ | 23.64 грн |
| 12500+ | 22.55 грн |
| 25000+ | 21.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMG4413LSS-13 за ціною від 24.57 грн до 65.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG4413LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4965 pF @ 15 V |
на замовлення 52358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG4413LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET,P-CHANNEL |
на замовлення 12760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG4413LSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMG4413LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.2mΩ Pulsed drain current: -45A Gate charge: 46nC Polarisation: unipolar Drain current: -17A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
DMG4413LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMG4413LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMG4413LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin SOP EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
DMG4413LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -17A; Idm: -45A; 1.4W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.2mΩ Pulsed drain current: -45A Gate charge: 46nC Polarisation: unipolar Drain current: -17A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |