на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 7.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4466SSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.42W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMG4466SSS-13 за ціною від 7.45 грн до 43.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG4466SSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.42W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V |
на замовлення 11484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD |
на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.42W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMG4466SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SO8 Gate charge: 17nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 1.42W Drain current: 6A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SO8 Gate charge: 17nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 1.42W Drain current: 6A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 60A |
товару немає в наявності |