DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 8.19 грн |
| 5000+ | 7.56 грн |
| 12500+ | 6.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMG4466SSS-13 за ціною від 6.08 грн до 32.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V |
на замовлення 19529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD |
на замовлення 9997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
DMG4466SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.42W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DMG4466SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 6A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.42W Polarisation: unipolar Gate charge: 17nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |