Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG4466SSS-13
DMG4466SSS-13

DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated

ds32137.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+8.00 грн
5000+7.22 грн
7500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.42W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG4466SSS-13 за ціною від 8.89 грн до 33.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Diodes Zetex 0ds32137.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Diodes Zetex 0ds32137.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1307+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 1307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Diodes Zetex 0ds32137.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
612+15.36 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Diodes Zetex 0ds32137.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+15.36 грн
1573+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated ds32137.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.25 грн
13+24.05 грн
100+15.32 грн
500+10.85 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated ds32137.pdf MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 DIODES INC. ds32137.pdf Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 DIODES INC. ds32137.pdf Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 0ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 82500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 0ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1307+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 1307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 0ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
612+15.36 грн
1000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 612 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 0ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
919+15.36 грн
1573+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 919 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.25 грн
13+24.05 грн
100+15.32 грн
500+10.85 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4466SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.45V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.