Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG4496SSS-13
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13 Diodes Incorporated

ds32048.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4496SSS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.42W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG4496SSS-13 за ціною від 7.09 грн до 33.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+11.09 грн
1000+9.24 грн
2500+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1273+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 1273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+28.86 грн
500+28.73 грн
1000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
489+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Diodes Incorporated ds32048.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.94 грн
15+21.16 грн
100+11.85 грн
500+10.45 грн
1000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 DIODES INC. DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 DIODES INC. DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 Diodes INC. DMG4496SSS_DiodesINC.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10, Ptot, Вт = 1,42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 10 В, Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 2879ds32048.pdf
DMG4496SSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
658+11.09 грн
1000+9.24 грн
2500+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 2879ds32048.pdf
DMG4496SSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1273+11.09 грн
Мінімальне замовлення: 1273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 2879ds32048.pdf
DMG4496SSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
205+28.86 грн
500+28.73 грн
1000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 2879ds32048.pdf
DMG4496SSS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
489+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 489 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 ds32048.pdf
DMG4496SSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+28.94 грн
15+21.16 грн
100+11.85 грн
500+10.45 грн
1000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG4496SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG4496SSS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS_DiodesINC.pdf
Виробник: Diodes INC.
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 10, Ptot, Вт = 1,42, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15, Qg, нКл = 10,2 @ 10 В, Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.