Продукція > DIODES ZETEX > DMG4496SSS-13
DMG4496SSS-13

DMG4496SSS-13 Diodes Zetex

2879ds32048.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4496SSS-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.42W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG4496SSS-13 за ціною від 6.29 грн до 39.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.62 грн
5000+8.31 грн
7500+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds32048.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.62 грн
5000+7.86 грн
7500+7.56 грн
12500+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1273+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 1273
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
658+10.20 грн
1000+8.50 грн
2500+6.60 грн
5000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 658
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : DIODES INC. DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.34 грн
500+12.76 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
501+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 501
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
205+25.93 грн
500+25.81 грн
1000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 205
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds32048.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.85 грн
15+24.70 грн
100+11.80 грн
500+11.34 грн
1000+9.53 грн
2500+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : DIODES INC. DIODS20478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.42W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.34 грн
33+26.30 грн
100+14.34 грн
500+12.76 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Incorporated ds32048.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V
на замовлення 19593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.26 грн
13+25.44 грн
100+12.59 грн
500+11.47 грн
1000+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes INC. ds32048.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 10; Ptot, Вт = 1,42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15; Qg, нКл = 10,2 @ 10 В; Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds32048.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.42W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Inc 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : Diodes Zetex 2879ds32048.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DMG4496SSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds32048.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.42W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.