на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 2.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4496SSS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.42W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMG4496SSS-13 за ціною від 6.68 грн до 43.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG4496SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4496SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG4496SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4496SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG4496SSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.42W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG4496SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL |
на замовлення 6640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4496SSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.42W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 493.5 pF @ 15 V |
на замовлення 19593 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4496SSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4496SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.42W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4496SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
DMG4496SSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| DMG4496SSS-13 | Виробник : Diodes INC. |
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 10; Ptot, Вт = 1,42; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 493,5 @ 15; Qg, нКл = 10,2 @ 10 В; Rds = 21,5 мОм @ 10 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
DMG4496SSS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| DMG4496SSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |