DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13 Diodes Zetex


dmg4511sk4.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4511SK4-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.54W, Drain to Source Voltage (Vdss): 35V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-4L, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMG4511SK4-13 за ціною від 17.45 грн до 87.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4511SK4.pdf Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.82 грн
5000+19.64 грн
7500+19.18 грн
12500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG4511SK4-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+62.42 грн
10+39.35 грн
37+24.25 грн
102+22.96 грн
500+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4511SK4.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 V-40V,TO252,2.5K
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.26 грн
10+48.24 грн
100+28.92 грн
500+23.06 грн
1000+21.16 грн
2500+18.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG4511SK4-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.90 грн
10+49.04 грн
37+29.10 грн
102+27.55 грн
500+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4511SK4.pdf Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.54W
Drain to Source Voltage (Vdss): 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 14861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.12 грн
10+52.70 грн
100+33.26 грн
500+24.34 грн
1000+22.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4511sk4.pdf Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 Виробник : Diodes Inc dmg4511sk4.pdf Trans MOSFET N/P-CH 35V 8.6A/7.8A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.