
DMG4511SK4-13 Diodes Zetex
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 20.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4511SK4-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.54W, Drain to Source Voltage (Vdss): 35V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-4L, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG4511SK4-13 за ціною від 17.45 грн до 87.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMG4511SK4-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.54W Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-4L Part Status: Active |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG4511SK4-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 35/-35V Drain current: 7.8/-8.6A Power dissipation: 1.54W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.035/0.045Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain |
на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG4511SK4-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 3345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG4511SK4-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 35/-35V Drain current: 7.8/-8.6A Power dissipation: 1.54W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.035/0.045Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2447 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG4511SK4-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel, Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.54W Drain to Source Voltage (Vdss): 35V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-4L Part Status: Active |
на замовлення 14861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG4511SK4-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
DMG4511SK4-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |