на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4800LK3-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V.
Інші пропозиції DMG4800LK3-13 за ціною від 10.05 грн до 41.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG4800LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG4800LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.71W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 10 V |
на замовлення 33959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG4800LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET N Chan 30V/6.5-10.0A |
на замовлення 14355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG4800LK3-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DMG4800LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; 1.71W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 1.71W Case: TO252 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMG4800LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; 1.71W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.5A Power dissipation: 1.71W Case: TO252 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |