| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.24 грн |
| 10000+ | 10.72 грн |
| 25000+ | 10.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4800LSD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMG4800LSD-13 за ціною від 10.44 грн до 83.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG4800LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 112500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG4800LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.17W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG4800LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG4800LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 112500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG4800LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG4800LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG4800LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG4800LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG4800LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG4800LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.17W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 6070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG4800LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM |
на замовлення 5572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG4800LSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|