DMG4800LSD-13 Diodes Zetex


dmg4800lsd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.60 грн
10000+11.82 грн
25000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4800LSD-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMG4800LSD-13 за ціною від 10.24 грн до 71.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.60 грн
10000+11.82 грн
25000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.60 грн
10000+11.82 грн
25000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.60 грн
10000+11.82 грн
25000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.38 грн
10000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.42 грн
10000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+29.50 грн
500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Diodes Incorporated MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+54.95 грн
10+33.68 грн
100+19.05 грн
500+14.61 грн
1000+13.11 грн
2500+11.22 грн
5000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.97 грн
11+41.11 грн
50+30.69 грн
74+12.82 грн
203+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 DIODES INC. DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 dmg4800lsd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.60 грн
10000+11.82 грн
25000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 dmg4800lsd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.60 грн
10000+11.82 грн
25000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 dmg4800lsd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+14.60 грн
10000+11.82 грн
25000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 dmg4800lsd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.38 грн
10000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 dmg4800lsd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+15.42 грн
10000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 dmg4800lsd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
322+29.50 грн
500+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 dmg4800lsd.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
484+29.50 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.95 грн
10+33.68 грн
100+19.05 грн
500+14.61 грн
1000+13.11 грн
2500+11.22 грн
5000+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.97 грн
11+41.11 грн
50+30.69 грн
74+12.82 грн
203+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.