Продукція > DIODES INC > DMG4800LSD-13
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13 Diodes Inc

dmg4800lsd.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4800LSD-13 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG4800LSD-13 за ціною від 9.87 грн до 64.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.52 грн
10000+10.13 грн
25000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.52 грн
10000+10.13 грн
25000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.22 грн
10000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.41 грн
10000+10.86 грн
25000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.41 грн
10000+10.86 грн
25000+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.13 грн
10000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.32 грн
5000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
484+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INC. DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.50 грн
500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
322+27.09 грн
500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8B2440DD1AA18&compId=DMG4800LSD.pdf?ci_sign=e3254b0e55d3ed044ee71794e8176928d2301b0b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.71 грн
14+29.79 грн
65+14.23 грн
179+13.44 грн
1000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED8B2440DD1AA18&compId=DMG4800LSD.pdf?ci_sign=e3254b0e55d3ed044ee71794e8176928d2301b0b Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.85 грн
10+37.12 грн
65+17.07 грн
179+16.13 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INC. DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+58.16 грн
50+40.97 грн
100+26.50 грн
500+17.61 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.40 грн
10+36.16 грн
100+23.39 грн
500+16.80 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DIODS21709_1-2541784.pdf MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
на замовлення 12176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.36 грн
10+38.96 грн
100+23.17 грн
500+18.19 грн
1000+15.39 грн
2500+13.73 грн
5000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.