Продукція > DIODES INC > DMG4800LSD-13
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13 Diodes Inc

dmg4800lsd.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4800LSD-13 Diodes Inc

Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG4800LSD-13 за ціною від 10.23 грн до 72.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.97 грн
10000+10.50 грн
25000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.97 грн
10000+10.50 грн
25000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.69 грн
10000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 112500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.89 грн
10000+11.25 грн
25000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.89 грн
10000+11.25 грн
25000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.64 грн
10000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.19 грн
5000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
484+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Zetex dmg4800lsd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SO T/R
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
322+28.07 грн
500+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 322
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INC. DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.10 грн
500+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.77 грн
12+36.19 грн
50+24.85 грн
100+21.18 грн
500+15.34 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.07 грн
10+38.35 грн
100+24.81 грн
500+17.82 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.73 грн
10+45.09 грн
50+29.82 грн
100+25.41 грн
500+18.41 грн
1000+16.41 грн
2500+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf MOSFETs Dual N-Ch 30V VDSS 25 Vgss 42A IDM
на замовлення 5572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.42 грн
10+41.33 грн
100+23.37 грн
500+17.93 грн
1000+16.09 грн
2500+13.77 грн
5000+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSD-13 DMG4800LSD-13 Виробник : DIODES INC. DIODS21709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG4800LSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.5 A, 7.5 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.012ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+72.37 грн
50+44.99 грн
100+29.18 грн
500+20.84 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.