DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated


DMG4800LSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.17W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 120000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+15.92 грн
5000+15.18 грн
7500+15.12 грн
12500+13.81 грн
17500+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.17W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції DMG4800LSDQ-13 за ціною від 12.59 грн до 72.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.56 грн
10+43.35 грн
100+24.19 грн
500+18.99 грн
1000+16.67 грн
2500+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.17W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 121900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.79 грн
10+43.88 грн
100+27.47 грн
500+19.90 грн
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.56 грн
10+43.35 грн
100+24.19 грн
500+18.99 грн
1000+16.67 грн
2500+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.17W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 121900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.79 грн
10+43.88 грн
100+27.47 грн
500+19.90 грн
1000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.