DMG4800LSDQ-13

DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated


DMG4800LSD.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 107500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.21 грн
5000+ 13.88 грн
12500+ 12.85 грн
25000+ 11.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.17W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMG4800LSDQ-13 за ціною від 13.82 грн до 44.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1580ds31858.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG4800LSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 109596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.44 грн
10+ 33.45 грн
100+ 23.12 грн
500+ 18.13 грн
1000+ 15.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4800LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIODS21709_1-2541784.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 6184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.16 грн
10+ 37.54 грн
100+ 22.63 грн
500+ 18.89 грн
1000+ 16.09 грн
2500+ 14.62 грн
5000+ 13.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSDQ-13 Виробник : Diodes Inc 1580ds31858.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1580ds31858.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товар відсутній
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG4800LSDQ-13 DMG4800LSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG4800LSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 1.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній