DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.17W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 16.43 грн |
| 5000+ | 15.67 грн |
| 7500+ | 15.61 грн |
| 12500+ | 14.25 грн |
| 17500+ | 14.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4800LSDQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.17W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMG4800LSDQ-13 за ціною від 13.51 грн до 75.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG4800LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG4800LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.17W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.56nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 121900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG4800LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V SO-8 T&R 2.5K |
на замовлення 5913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG4800LSDQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMG4800LSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 22mΩ Power dissipation: 1.5W Drain current: 8.4A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 30V Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
товару немає в наявності |