Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG4822SSD-13
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated

DMG4822SSD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.78 грн
5000+16.65 грн
7500+15.92 грн
12500+14.17 грн
17500+13.71 грн
25000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG4822SSD-13 за ціною від 17.17 грн до 74.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 Diodes Zetex dmg4822ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 Diodes Zetex dmg4822ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 Diodes Zetex dmg4822ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 Diodes Zetex dmg4822ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
445+21.85 грн
500+20.44 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 Diodes Zetex dmg4822ssd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
648+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated DMG4822SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 52614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.39 грн
10+44.70 грн
100+29.21 грн
500+21.17 грн
1000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 Diodes Incorporated DMG4822SSD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
на замовлення 5157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 DIODES INC. DMG4822SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD-13 DIODES INC. DMG4822SSD.pdf Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 dmg4822ssd.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 dmg4822ssd.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 dmg4822ssd.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 dmg4822ssd.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
445+21.85 грн
500+20.44 грн
1000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 445 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 dmg4822ssd.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
648+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 648 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.42W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 52614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.39 грн
10+44.70 грн
100+29.21 грн
500+21.17 грн
1000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K
на замовлення 5157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4822SSD-13 DMG4822SSD.pdf
DMG4822SSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.