на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 16.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG4822SSD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMG4822SSD-13 за ціною від 15.09 грн до 79.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 62500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.42W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.42W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 478.9pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 8855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG4822SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 10 A, 10 A, 0.0134 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0134ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.42W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0134ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.42W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V,SO-8,2.5K |
на замовлення 5157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMG4822SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 60A Drain current: 6.6A Gate charge: 10.5nC On-state resistance: 31mΩ Power dissipation: 1.42W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
DMG4822SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 60A Drain current: 6.6A Gate charge: 10.5nC On-state resistance: 31mΩ Power dissipation: 1.42W Gate-source voltage: ±25V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |