Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG5802LFX-7
DMG5802LFX-7

DMG5802LFX-7 Diodes Incorporated

DMG5802LFX.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.82 грн
10+43.11 грн
100+25.99 грн
500+21.74 грн
1000+18.52 грн
3000+15.37 грн
6000+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG5802LFX-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 980mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: W-DFN5020-6.

Інші пропозиції DMG5802LFX-7 за ціною від 19.49 грн до 75.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG5802LFX-7 DMG5802LFX-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG5802LFX.pdf Description: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: W-DFN5020-6
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.24 грн
10+45.53 грн
100+29.74 грн
500+21.55 грн
1000+19.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5802LFX-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG5802LFX.pdf DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG5802LFX-7 DMG5802LFX-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG5802LFX.pdf Description: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 980mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: W-DFN5020-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.