на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.40 грн |
| 10+ | 44.45 грн |
| 100+ | 26.80 грн |
| 500+ | 22.42 грн |
| 1000+ | 19.10 грн |
| 3000+ | 15.85 грн |
| 6000+ | 15.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG5802LFX-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 980mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 24V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: W-DFN5020-6.
Інші пропозиції DMG5802LFX-7 за ціною від 20.10 грн до 77.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG5802LFX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 980mW Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: W-DFN5020-6 |
на замовлення 2779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG5802LFX-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 980mW Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1066.4pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 6.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: W-DFN5020-6 |
товару немає в наявності |