Продукція > DIODES INC > DMG6301UDW-13
DMG6301UDW-13

DMG6301UDW-13 Diodes Inc


dmg6301udw.pdf Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6301UDW-13 Diodes Inc

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363.

Інші пропозиції DMG6301UDW-13 за ціною від 3.41 грн до 29.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6301UDW-13 DMG6301UDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG6301UDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.36 грн
30000+4.12 грн
50000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-13 DMG6301UDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG6301UDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.30 грн
16+19.75 грн
100+9.98 грн
500+7.64 грн
1000+5.67 грн
2000+4.77 грн
5000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6301UDW.pdf DMG6301UDW-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-13 DMG6301UDW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMG6301UDW.pdf MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.