на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6301UDW-7 Diodes Inc
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG6301UDW-7 за ціною від 3.01 грн до 31.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG6301UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 429000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6301UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 300mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 431990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG6301UDW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG6301UDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 5Ω Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DMG6301UDW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 5Ω Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.22A |
товар відсутній |