DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated


DMG6301UDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 25V Dual N-Ch Enh 8Vgss .24A 0.3W
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 300mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Part Status: Active.

Інші пропозиції DMG6301UDW-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG6301UDW-7 DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated DMG6301UDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7 DMG6301UDW-7 Diodes Incorporated DMG6301UDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7 DMG6301UDW-7 DIODES INCORPORATED DMG6301UDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7 Diodes Zetex DMG6301UDW.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7 Diodes Zetex DMG6301UDW.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7 DMG6301UDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7 DMG6301UDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 400mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.9pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7 DMG6301UDW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 0.22A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.22A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7 DMG6301UDW.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6301UDW-7 DMG6301UDW.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 25V 0.24A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.