DMG6302UDW-7 Diodes Incorporated
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.54 грн |
| 16+ | 20.06 грн |
| 100+ | 11.11 грн |
| 500+ | 6.99 грн |
| 1000+ | 6.11 грн |
| 3000+ | 3.97 грн |
| 6000+ | 3.61 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6302UDW-7 Diodes Incorporated
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -120mA; 380mW; SOT363, Type of transistor: P-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -25V, Drain current: -120mA, Power dissipation: 0.38W, Case: SOT363, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 13Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 340pC, Kind of package: 7 inch reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DMG6302UDW-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
DMG6302UDW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
DMG6302UDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -120mA; 380mW; SOT363 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Drain current: -120mA Power dissipation: 0.38W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 13Ω Mounting: SMD Gate charge: 340pC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| DMG6302UDW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
Description: MOSFET 2P-CH 25V 0.15A SOT363
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMG6302UDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -120mA; 380mW; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 340pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -25V; -120mA; 380mW; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -120mA
Power dissipation: 0.38W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 340pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




