DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated


DMG6402LDM.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V.

Інші пропозиції DMG6402LDM-7 за ціною від 6.08 грн до 28.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMG6402LDM-7 DMG6402LDM-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6402LDM.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 6843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.72 грн
14+ 19.89 грн
100+ 11.96 грн
500+ 10.39 грн
1000+ 7.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG6402LDM-7 DMG6402LDM-7 Виробник : Diodes Incorporated ds31839-1147923.pdf MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-26
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.97 грн
14+ 22.11 грн
100+ 10.48 грн
1000+ 7.34 грн
3000+ 6.41 грн
9000+ 6.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
DMG6402LDM-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG6402LDM.pdf N-MOSFET 30V 5.3A 27mΩ 1.12W DMG6402LDM-7 Diodes TDMG6402ldm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
DMG6402LDM-7 DMG6402LDM-7 Виробник : Diodes Zetex 640ds31839.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
DMG6402LDM-7 DMG6402LDM-7 Виробник : Diodes Zetex 640ds31839.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A 6-Pin SOT-26 T/R
товар відсутній
DMG6402LDM-7 DMG6402LDM-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6402LDM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.2A; Idm: 31A; 1.12W; SOT26
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Case: SOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMG6402LDM-7 DMG6402LDM-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6402LDM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.2A; Idm: 31A; 1.12W; SOT26
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Case: SOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.2A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.12W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
товар відсутній