DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMG6402LDM-7 за ціною від 6.40 грн до 34.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG6402LDM-7 | DIODES/ZETEX |
 N-MOSFET 30V 5.3A 27mΩ 1.12W DMG6402LDM-7 Diodes TDMG6402ldmкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMG6402LDM-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V |
на замовлення 9763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMG6402LDM-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26 |
на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMG6402LDM-7 |
|
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 30V 5.3A 27mΩ 1.12W DMG6402LDM-7 Diodes TDMG6402ldm
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 30V 5.3A 27mΩ 1.12W DMG6402LDM-7 Diodes TDMG6402ldm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 21.63 грн |
| DMG6402LDM-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 9763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.48 грн |
| 17+ | 18.13 грн |
| 100+ | 12.24 грн |
| 500+ | 8.92 грн |
| 1000+ | 8.07 грн |
| DMG6402LDM-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL SOT-26
на замовлення 3192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.38 грн |
| 14+ | 23.53 грн |
| 100+ | 10.27 грн |
| 1000+ | 8.23 грн |
| 3000+ | 6.75 грн |
| 9000+ | 6.40 грн |