DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.96 грн |
| 6000+ | 5.19 грн |
| 9000+ | 4.92 грн |
| 15000+ | 4.32 грн |
| 21000+ | 4.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMG6402LVT-7 за ціною від 4.05 грн до 29.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG6402LVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26 Type of transistor: N-MOSFET Case: TSOT26 Polarisation: unipolar On-state resistance: 42mΩ Power dissipation: 1.1W Drain current: 5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V |
на замовлення 21577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A |
на замовлення 9722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|