на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3283+ | 3.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6402LVT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DMG6402LVT, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMG6402LVT-7 за ціною від 4.20 грн до 36.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG6402LVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.75W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TSOT-26 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: DMG6402LVT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V |
на замовлення 21577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A |
на замовлення 9722 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.75W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: DMG6402LVT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DMG6402LVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMG6402LVT-7 SMD N channel transistors |
на замовлення 306 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
DMG6402LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R |
товару немає в наявності |