Продукція > DIODES INCORPORATED > DMG6402LVT-7
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated

DMG6402LVT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.87 грн
6000+5.12 грн
9000+4.85 грн
15000+4.26 грн
21000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.75W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DMG6402LVT, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm.

Інші пропозиції DMG6402LVT-7 за ціною від 6.50 грн до 30.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated DMG6402LVT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 21577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.90 грн
19+16.57 грн
100+10.43 грн
500+7.30 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6402LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.36 грн
19+22.05 грн
23+18.66 грн
100+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated DMG6402LVT.pdf MOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A
на замовлення 9722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INC. DMG6402LVT.pdf Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 21577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.90 грн
19+16.57 грн
100+10.43 грн
500+7.30 грн
1000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.36 грн
19+22.05 грн
23+18.66 грн
100+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A
на замовлення 9722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.