Продукція > DIODES ZETEX > DMG6402LVT-7
DMG6402LVT-7

DMG6402LVT-7 Diodes Zetex

dmg6402lvt.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3283+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 3283
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6402LVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.75W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.75W, Bauform - Transistor: TSOT-26, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DMG6402LVT, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG6402LVT-7 за ціною від 4.04 грн до 33.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2155+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 2155
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.73 грн
6000+4.10 грн
24000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.84 грн
6000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.25 грн
6000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6402LVT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.39 грн
6000+6.02 грн
9000+5.33 грн
30000+4.94 грн
75000+4.19 грн
150000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
321+13.77 грн
500+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 321
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : DIODES INC. DMG6402LVT.pdf Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.75W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.11 грн
104+8.31 грн
500+7.16 грн
1000+4.48 грн
5000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7F77FBE5CD8BF&compId=DMG6402LVT.pdf?ci_sign=84d9abf52e5fbfce0da2efa148b9958860131e35 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.70 грн
20+20.05 грн
24+17.10 грн
32+12.73 грн
100+7.80 грн
500+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6402LVT.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 556677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.91 грн
17+19.81 грн
100+9.97 грн
500+8.29 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C7F77FBE5CD8BF&compId=DMG6402LVT.pdf?ci_sign=84d9abf52e5fbfce0da2efa148b9958860131e35 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.84 грн
12+24.98 грн
14+20.52 грн
25+15.27 грн
100+9.36 грн
500+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6402LVT.pdf MOSFETs 30V N-Ch 30mOhm 10V VGS 30V 6A
на замовлення 9722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.16 грн
19+19.41 грн
100+8.09 грн
500+7.71 грн
1000+6.34 грн
3000+4.73 грн
6000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008363357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6402LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.022 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.75W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DMG6402LVT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.58 грн
43+20.05 грн
100+9.17 грн
500+7.66 грн
1000+6.25 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6402lvt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.