Продукція > DIODES ZETEX > DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 Diodes Zetex

346dmg6601lvt.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.22 грн
6000+5.17 грн
9000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6601LVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 850mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 850mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG6601LVT-7 за ціною від 4.18 грн до 35.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.55 грн
6000+5.50 грн
9000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.60 грн
6000+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.00 грн
6000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.25 грн
6000+5.45 грн
9000+5.16 грн
15000+4.54 грн
21000+4.36 грн
30000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INC. DIODS20273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.00 грн
1500+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B71A4ED94B1BF&compId=DMG6601LVT-7.pdf?ci_sign=e77b4032d2f87d330675471bf4868d5d48300785 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.65 грн
21+19.53 грн
24+16.91 грн
50+11.03 грн
100+9.21 грн
500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 42704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.68 грн
19+17.62 грн
100+11.10 грн
500+7.77 грн
1000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6879B71A4ED94B1BF&compId=DMG6601LVT-7.pdf?ci_sign=e77b4032d2f87d330675471bf4868d5d48300785 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.78 грн
13+24.33 грн
15+20.29 грн
50+13.24 грн
100+11.05 грн
500+7.62 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf MOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
на замовлення 231539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+32.10 грн
19+19.37 грн
100+10.21 грн
500+7.70 грн
1000+6.48 грн
3000+5.33 грн
6000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INC. DMG6601LVT.pdf Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+35.14 грн
50+21.54 грн
100+12.65 грн
500+8.89 грн
1500+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG6601LVT.pdf Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Inc 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.