Продукція > DIODES ZETEX > DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7

DMG6601LVT-7 Diodes Zetex

346dmg6601lvt.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6601LVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 850mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 850mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DMG6601LVT-7 за ціною від 3.74 грн до 30.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.00 грн
6000+4.56 грн
9000+4.33 грн
15000+3.91 грн
21000+3.90 грн
30000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INC. DIODS20273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.76 грн
1500+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6601LVT-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.58 грн
23+16.86 грн
28+13.72 грн
50+8.28 грн
100+6.97 грн
155+5.75 грн
425+5.52 грн
500+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf MOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
на замовлення 359069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.35 грн
22+15.65 грн
100+6.69 грн
1000+5.37 грн
3000+4.71 грн
9000+4.27 грн
24000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6601LVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 850mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 31170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.44 грн
18+17.32 грн
100+7.49 грн
500+5.95 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INC. DIODS20273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.54 грн
51+16.34 грн
104+7.96 грн
500+6.76 грн
1500+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6601LVT-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.70 грн
14+21.01 грн
17+16.46 грн
50+9.93 грн
100+8.37 грн
155+6.90 грн
425+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 Виробник : DIODES/ZETEX DMG6601LVT.pdf Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Inc 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6601LVT-7 DMG6601LVT-7 Виробник : Diodes Zetex 346dmg6601lvt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.