DMG6601LVT-7 DIODES/ZETEX
Виробник: DIODES/ZETEX
Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.8A, 2.5A 850mW Surface Mount TSOT-26 DMG6601LVT-7 TDMG6601lvt
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 5.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6601LVT-7 DIODES/ZETEX
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 850mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-26, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMG6601LVT-7 за ціною від 5.10 грн до 29.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMG6601LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMG6601LVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.8A/2.5A 6-Pin TSOT-26 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG6601LVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3/-2A Power dissipation: 0.54W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.065/0.142Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 547 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG6601LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET |
на замовлення 128382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMG6601LVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 850mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A, 2.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|