DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7 Diodes Zetex


dmg6602svt.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 165000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6602SVT-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 840mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 840mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMG6602SVT-7 за ціною від 4.13 грн до 32.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.38 грн
6000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.38 грн
6000+4.18 грн
9000+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Inc dmg6602svt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.72 грн
6000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.72 грн
6000+4.51 грн
9000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 2763000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6602SVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.33 грн
6000+4.79 грн
9000+4.47 грн
15000+4.17 грн
21000+4.16 грн
30000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : DIODES INC. 2814391.pdf Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.35 грн
9000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1529+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 1529
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : DIODES INC. 2814391.pdf Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 22660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.67 грн
1500+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 5455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1733+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 1733
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007085180_1-2512677.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
на замовлення 643875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.06 грн
23+15.23 грн
100+5.96 грн
1000+5.66 грн
3000+4.49 грн
9000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : DIODES INC. DMG6602SVT.pdf Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 22455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.70 грн
54+15.43 грн
116+7.14 грн
500+6.16 грн
1500+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMG6602SVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 840mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 68059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.24 грн
18+17.93 грн
100+8.31 грн
500+6.60 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 DMG6602SVT-7 Виробник : Diodes Zetex dmg6602svt.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.4A/2.8A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 222000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+31.64 грн
32+19.46 грн
100+12.28 грн
500+8.83 грн
1000+7.28 грн
3000+5.88 грн
6000+5.33 грн
9000+5.04 грн
15000+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6602SVT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMG6602SVT.pdf DMG6602SVT-7 Multi channel transistors
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.88 грн
161+6.69 грн
443+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.