
DMG6602SVT-7 Diodes Zetex
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 3.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMG6602SVT-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 840mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 840mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMG6602SVT-7 за ціною від 4.13 грн до 32.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
на замовлення 408000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 2763000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 5455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 22660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 5455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 643875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 840mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 840mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 22455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 840mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A, 2.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 68059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVT-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
DMG6602SVT-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|