DMG6602SVT DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 21.29 грн |
| 56+ | 14.86 грн |
| 124+ | 6.69 грн |
| 500+ | 6.07 грн |
| 1000+ | 5.47 грн |
| 5000+ | 4.58 грн |
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Технічний опис DMG6602SVT DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).