Продукція > DIODES INC. > DMG6602SVT
DMG6602SVT

DMG6602SVT DIODES INC.

1915929.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 2.8 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 840mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 840mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.99 грн
49+17.77 грн
100+9.57 грн
500+7.54 грн
1000+6.33 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMG6602SVT DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 2.8 A, 0.06 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.095ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 840mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 840mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMG6602SVT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG6602SVT Виробник : Diodes Incorporated MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.