DMG6602SVT DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm
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на замовлення 71595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 31.35 грн |
| 43+ | 18.43 грн |
| 100+ | 8.9 грн |
| 500+ | 6.79 грн |
| 1000+ | 4.91 грн |
| 5000+ | 4.45 грн |
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Технічний опис DMG6602SVT DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6602SVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.038 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm, productTraceability: No, Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.